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1.
体硅阳极和薄膜微晶硅阳极聚合物顶发光白光器件
谷永涛,魏峰,孙拓,徐万劲,冉广照,章勇,牛巧利,秦国刚
北京大学学报(自然科学版)
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2.
单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p
+
-Si异质结的紫外电致发光
霍海滨,杨卫全, 戴伦, 马仁敏, 秦国刚
北京大学学报(自然科学版)
摘要
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610
)
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采用化学气相沉积的方法在In
0.1
Ga
0.9
N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001 Ω cm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In
0.1
Ga
0.9
N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线。制备成功单根n-ZnO纳米线/p
+
-Si异质结构并研究了其电致发光特性。室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380 nm)和一个中心位于700 nm 的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰。
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